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J-GLOBAL ID：202102284933793763   整理番号：21A2981110

低寄生パラメータを持つ小型両面冷却650V/30A GaNパワーモジュール【JST・京大機械翻訳】

A Compact Double-Sided Cooling 650V/30A GaN Power Module With Low Parasitic Parameters

著者 (6件)： Li Bingyang (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Yang Xu (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Wang Kangping (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Zhu Hongkeng (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Wang Laili (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Chen Wenjie (School of Electrical Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 37  号： 1  ページ： 426-439  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンおよび炭化ケイ素デバイスと比較して,窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)のユニークな電気的および構造的特性は,電力モジュール統合のための異なる要求を持つ。本論文では,ボンディングワイヤのない高電圧横方向GaN HEMTダイスの新しい統合方式を提案した。提案した統合方式に基づいて,低い寄生パラメータと高い熱性能を有するコンパクトな650V/30A GaNパワーモジュールを設計した。GaNダイスを2つのセラミック基板の間に挟んで熱性能を改善し,一貫した熱膨張係数を確保した。多重銅層構造を用いて,寄生パラメータを低減する配線柔軟性を増加させる。ゲートと電力ループレイアウトの設計を議論し,共通モード(CM)容量を最適化した。この統合方式に対して包括的な信頼性評価も行った。最後に,2.4cm(-1)1.3cm(-1)0.17cmの両面冷却650V/30AフルブリッジGaNパワーモジュールを作製した。熱抵抗は,従来の単一側面冷却モジュールと比較して,30%≦λ≦48%減少した。電力ループとゲートループインダクタンスは,それぞれ0.94nHと2nHに減少し,CMキャパシタンスは2.5pFに制限される。ドレイン作動源電圧の最大dv/dtは10%オーバーシュートで150V/nsと高かった。パワーモジュールに基づいて,3.3kW二相インターリーブバックコンバータを開発した。それは,820W/in3出力密度と98.85%のピーク効率を有した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インダクタンス ,  最適化 ,  電圧 ,  熱抵抗 ,  電力 ,  ケイ素 ,  配線 ,  炭化ケイ素 ,  静電容量 ,  多重化 ,  熱膨張係数 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： *パワーモジュール ,  フルブリッジコンバータ ,  ボンディングワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 寄生 ,  パラメータ ,  両面 ,  GaN ,  パワーモジュール