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文献
J-GLOBAL ID:202102285026331423   整理番号:21A2696861

MOD法によるNb添加VO2薄膜の作製と相転移温度の低温化

Nb doped VO2 thin films grown by MOD and lowering of their phase transition temperature
著者 (3件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 167-173  発行年: 2021年08月01日 
JST資料番号: L1291A  ISSN: 0916-7900  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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MOD法を用いてr面サファイア基板上にNbを添加したVO2薄膜を作製した.VO2薄膜の結晶性をX線回折装置(XRD),原子間力顕微鏡(AFM),走査型共焦点レーザ顕微鏡(LSM)で評価した結果,仮焼成温度300°C,本焼成温度580°Cにて作製した試料では全てVO2多結晶微粒子が成長し,その薄膜表面が多孔質モスアイ構造であることがわかった.また,分光光度計により相転移温度前後の透過率変化を測定したところ,Nb添加試料は,無添加試料と比較して相転移温度の低下が見られ,Nbを1mol%添加した試料では,相転移温度が約8°C,2mol%添加した試料では,約20°Cの低下が確認された.本研究では,Nb添加による相転移温度の低温化および調光率に与える影響について報告する.(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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その他の無機化合物の薄膜  ,  固相転移 
引用文献 (17件):
  • J. C. Valmalette and J. R. Gavarri : Sol. Energy Mater. Sol. Cells 33 (1994) 135.
  • M.Tazawa, H. Kakiuchida, and Ping Jin : Netsu Bussei, 20 (2006) 109 (in Japanese).
  • C. Weber, D. O'Regan, N. Hine, M. Payne, G. Kotliar, and P. Littlewood : Phys. Rev. Lett. 108 (2012) 256402.
  • Y. Zhou, and S. Ramanathan : IEEE 103 (2015) 1289.
  • J. P. Pouget, H. Launois, T. M. Rice, P. Dernier, A. Gossard, G. Villeneuve, and P. Hagenmuller : Phys. Rev. B 10 (1974) 1801.
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