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J-GLOBAL ID:202102285296156603   整理番号:21A2170811

近接場走査光学顕微鏡を用いた擬似マイクロ青色LEDにおける表面プラズモン結合光ルミネセンス増強のナノスケールキャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Nanoscale Characterization of Surface Plasmon-Coupled Photoluminescence Enhancement in Pseudo Micro Blue LEDs Using Near-Field Scanning Optical Microscopy
著者 (16件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 751  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7252A  ISSN: 2079-4991  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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p-GaNキャップ層上に,Agナノ粒子調製に続いて,極端な大きなアスペクト比を有するマイクロキャビティアレイを作製した。二重波長InGaN/GaN多重量子井戸と局在表面プラズモン共鳴の間の結合距離を,走査近接場光学顕微鏡によってナノメートルスケールで注意深く特性評価した。光ルミネセンスの増強に及ぼす結合距離と励起パワーの影響を調べた。侵入深さは励起密度に依存して3955nmの範囲で測定した。低い励起電力密度で,103の最大増強を,25nmの最適結合距離で達成した。時間分解光ルミネセンスは,Agナノ粒子プラズモン共鳴の導入によって再結合寿命が5.86から1.47nsに短縮されることを示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 
引用文献 (25件):
  • Krames, M.R.; Shchekin, O.B.; Mueller-Mach, R.; Mueller, G.O.; Zhou, L.; Harbers, G.; Craford, M.G. Status and Future of High-Power Light-Emitting Diodes for Solid-State Lighting. J. Disp. Technol. 2007, 3, 160-175.
  • Neogi, A.; Lee, C.W.; Everitt, H.O.; Kuroda, T.; Tackeuchi, A.; Yablonovitch, E. Micro-pixellated LEDs for science and instrumentation. J. Phys. D Appl. Phys. 2008, 41, 090301.
  • Wu, M.; Gong, Z.; Massoubre, D.; Zhang, Y.; Richardson, E.; Gu, E.; Dawson, M.D. Inkjet-printed silver nanoparticle electrodes on GaN-based micro-structured light-emitting diodes. Appl. Phys. A 2011, 104, 1003-1009.
  • Su, C.Y.; Lin, C.H.; Yao, Y.F.; Liu, W.H.; Su, M.Y.; Chiang, H.C.; Tsai, M.C.; Tu, C.G.; Chen, H.T.; Kiang, Y.W.; et al. Dependencies of surface plasmon coupling effects on the p-GaN thickness of a thin-p-type light-emitting diode. Opt. Express 2017, 25, 21526-21536.
  • Arup Neogi, C.W.L.; Henry, O. Everitt, Takamasa Kuroda, Atsushi Tackeuchi, and Eli Yablonovitch, Enhancement of spontaneous emission in a quantum well by resonant surface plasmon coupling. Phys. Rev. B 2002, 66, 4.
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