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J-GLOBAL ID：202102285309903878   整理番号：21A0984887

電場サイクル強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O_2薄膜における破壊機構への深い洞察:TDDBキャラクタリゼーションと第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

Deep Insights into the Failure Mechanisms in Field-cycled Ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin Film: TDDB Characterizations and First-Principles Calculations

著者 (12件)： Wei Wei (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Zhang Weiqiang. (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Wang Fei (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Ma Xiaolei (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Wang Qianwen (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Sang Pengpeng (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Zhan Xuepeng (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Li Yuan (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Tai Lu (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China) ,  Luo Qing (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology,Beijing,China) ,  Lv Hangbing (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology,Beijing,China) ,  Chen Jiezhi (Shandong University,School of Information Science and Engineering,Qingdao,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IEDM  ページ： 39.6.1-39.6.4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体デバイスにおける破壊機構に対処するために,本研究ではHf_0.5Zr_0.5O_2系強誘電体メモリに関する系統的研究を示した。最初に,フィールドサイクル装置におけるP-VとC-V曲線の詳細な電気的キャラクタリゼーションによって,3つの支配的故障モードを,よく識別することができた。次に,TDDB測定と第一原理計算を結合することによって,1)アニーリング温度は初期欠陥濃度に大きな影響を持つが,トラップ発生速度には弱い影響を与えることが分かった。2)破壊経路は,主に非晶質領域で生じ,再構成可能なフィラメントを生成し,RRAM特性を引き起こす。3)サイクル中の一時的回復強誘電性は結晶粒界で発生する不安定な破壊経路を考慮することにより説明できる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  結晶粒界 ,  *電場 ,  *薄膜 ,  強誘電性 ,  非晶質 ,  フィラメント ,  キャラクタリゼーション ,  故障モード ,  FeRAM
準シソーラス用語： *TDDB ,  アニーリング温度 ,  *破壊機構 ,  *第一原理計算 ,  ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電場 ,  サイクル ,  強誘電体 ,  薄膜 ,  破壊 ,  洞察 ,  TDDB ,  キャラクタリゼーション ,  第一原理計算