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J-GLOBAL ID：202102285457590972   整理番号：21A0875854

MOCVDにより種々のVI/III比で成長させたβ-Ga_2O_3膜の研究【JST・京大機械翻訳】

Study on β-Ga2O3 Films Grown with Various VI/III Ratios by MOCVD

著者 (9件)： Li Zeming (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Qianjin Street 2699, Changchun 130012, China) ,  Jiao Teng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Qianjin Street 2699, Changchun 130012, China) ,  Hu Daqiang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Qianjin Street 2699, Changchun 130012, China) ,  Lv Yuanjie (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051, China) ,  Li Wancheng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Qianjin Street 2699, Changchun 130012, China) ,  Dong Xin (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Qianjin Street 2699, Changchun 130012, China) ,  Zhang Yuantao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Qianjin Street 2699, Changchun 130012, China) ,  Feng Zhihong (National Key Laboratory of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051, China) ,  Zhang Baolin (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Qianjin Street 2699, Changchun 130012, China)
資料名： Coatings (Web)  (Coatings (Web))
巻： 9  号： 5  ページ： 281  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7162A  ISSN： 2079-6412  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： -Ga_2O_3膜を,有機金属化学蒸着により,種々のO/Ga(VI/III)比を有するサファイア(0001)基板上に成長させた。膜の成長速度,構造,形態,およびRaman特性に及ぼすVI/III比の影響を系統的に研究した。VI/III比を変えることによって,結晶品質は明らかに変化した。VI/III比を66.9103から11.2103に下げることにより,結晶品質は徐々に改善し,それは初期段階の低い核密度に起因した。しかし,結晶品質はVI/III比の更なる減少で劣化し,これは過度の核形成速度に起因した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： サファイア ,  *MOCVD ,  成長速度
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  核形成速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： β-Ga_2O_3 ,  MOCVD ,  VI/III比

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (26件)：

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• Goyal, A.; Yadav, B.S.; Thakur, O.P.; Kapoor, A.K.; Muralidharan, R. Effect of annealing on β-Ga2O3 film grown by pulsed laser deposition technique. J. Alloy. Compd. 2014, 583, 214-219.
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タイトルに関連する用語 (3件)： MOCVD ,  成長 ,  研究