文献

J-GLOBAL ID：202102285823975783   整理番号：21A1539723

ペロブスカイト発光ダイオードの材料,光物理およびデバイス工学【JST・京大機械翻訳】

Materials, photophysics and device engineering of perovskite light-emitting diodes

著者 (9件)： Chen Ziming (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, 381 Wushan Road, Guangzhou 510640, People’s Republic of China) ,  Chen Ziming (School of Environment and Energy, South China University of Technology, Guangzhou University City, Panyu District, Guangzhou 510006, People’s Republic of China) ,  Li Zhenchao (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, 381 Wushan Road, Guangzhou 510640, People’s Republic of China) ,  Hopper Thomas R (Department of Chemistry and Centre for Processable Electronics, Imperial College London, London W12 0BZ, United Kingdom) ,  Bakulin Artem A (Department of Chemistry and Centre for Processable Electronics, Imperial College London, London W12 0BZ, United Kingdom) ,  Yip Hin-Lap (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, 381 Wushan Road, Guangzhou 510640, People’s Republic of China) ,  Yip Hin-Lap (Innovation Center of Printed Photovoltaics, South China Institute of Collaborative Innovation, Dongguan 523808, People’s Republic of China) ,  Yip Hin-Lap (Department of Materials Science and Engineering, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong Special Administrative Region of China) ,  Yip Hin-Lap (School of Energy and Environment, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong Special Administrative Region of China)
資料名： Reports on Progress in Physics  (Reports on Progress in Physics)
巻： 84  号： 4  ページ： 046401 (45pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： H0130A  ISSN： 0034-4885  CODEN： RPPHAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,材料,光物理学およびデバイス工学への研究努力を含む,金属ハライドペロブスカイト(すなわち,ペロブスカイト発光ダイオード)に基づく,新しく開発された照明技術の包括的レビューを提供した。アウトセットにおいて,基本的なペロブスカイト構造とそれらの種々の寸法(すなわち3,2,およびゼロ次元ペロブスカイト)を調べ,これらの構造の組成工学がペロブスカイト発光特性にどのように影響するかを示す。次に,基本励起状態,エネルギー/電荷輸送過程および放射および非放射減衰機構へのそれらの結合を通して,これらの材料における光およびエレクトロルミネセンスを支えている物理学を,著者らは,次に変えた。レビューの残りにおいて,著者らは,それらの開発の歴史と,デバイス性能のブースティングのための最新の戦略の広範な分析を含む,ペロブスカイト発光ダイオードの工学に焦点を当てた。鍵となる概念は,電子/正孔注入のバランス,寄生キャリア損失の抑制,光ルミネセンス量子収量の改善および光抽出の増強を含む。全体として,本レビューは,ペロブスカイト照明に対する現在のパラダイムを反映し,この分野で新たに働く材料およびデバイス科学者の基盤として役立つことを意図する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エレクトロルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  光ルミネセンス ,  量子収量 ,  励起状態 ,  照明 ,  照明技術
準シソーラス用語： ペロブスカイト型構造 ,  電荷輸送 ,  発光特性 ,  正孔注入 ,  *光物理学 ,  *デバイス工学 ,  放射減衰 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 格子欠陥一般  (BK12010J) ,  宇宙線起源  (DB02020Q) ,  生物科学研究法一般  (EA03010K) ,  低温物理一般  (BL07010Q) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ペロブスカイト ,  発光ダイオード ,  光物理 ,  デバイス工学