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J-GLOBAL ID：202102286232924106   整理番号：21A0696881

p型コンタクト層にn-ZnOトンネル層を有するAlGaN系pnダイオードの作製及び電気的評価

Fabrication and electrical characterization of AlGaN pn diode with a n-ZnO tunnel layer at the p-type contact

著者 (5件)： ZHENG Sun (電通大) ,  森元諄 (電通大) ,  大黒将也 (電通大) ,  田尻武義 (電通大) ,  内田和男 (電通大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10a-Z02-1  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： AlGaN材料は、深紫外LEDなどの紫外領域における光源への応用が期待されている[1,6]。AlGaN LEDの高効率化に向けた様々な取り組み[2-4]が進められる中で、特に、p型コンタクト層のホール濃度の改善においては、p型層の隣に高濃度...【本文一部表示】

シソーラス用語： 光源 ,  *ダイオード ,  *酸化亜鉛 ,  トンネル接合 ,  キャリア密度 ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  メサ構造 ,  整流 ,  MOCVD ,  ドーパント ,  フォトリソグラフィー ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 薄膜形成 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： コンタクト層 ,  ZnO ,  トンネル ,  AlGaN ,  PN ,  ダイオード ,  作製 ,  評価