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J-GLOBAL ID:202102287856866275   整理番号:21A3385001

エピタキシャルBa_1-xSr_xTiO_3膜の電気熱量温度変化【JST・京大機械翻訳】

Electrocaloric temperature changes in epitaxial Ba1-xSrxTiO3 films
著者 (9件):
資料名:
巻: 891  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究の基本的な目的は,鉛フリーエピタキシャルBa_1-xSr_xTiO_3(BSTO)ベースの薄膜構造における構造パラメータと電気熱量効果の間の相関を調べることである。したがって,x=0からx=0.3のSr含有量を有するBSTO薄膜を,パルスレーザ蒸着によりSrRuO_3バッファSrTiO_3単結晶基板上に成長させた。構造キャラクタリゼーションは,バルク材料と比較して付加的正方晶歪みを有するすべてのSr含有量に対するエピタキシャル成長を確認した。誘電特性の温度と周波数依存測定は,拡散相転移を示す広い最大値を有する厚い膜の誘電率値の増加を明らかにした。最大誘電率の温度はSr含有量の増加と共に減少したが,分極測定は特に室温以上でリラクサ様挙動を示した。非断熱温度変化を間接法で決定し,750kVcm-1の印加電場でx=0.3の680nm厚BSTO層に対して2.9KまでのΔΔT|値を得た。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
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