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J-GLOBAL ID:202102288609139099   整理番号:21A0531948

カーボンナノチューブのin situ成長による窒素ドープTi_3C_2T_xナノシートの電極に基づくスーパーキャパシタの擬似容量の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved pseudocapacitances of supercapacitors based on electrodes of nitrogen-doped Ti3C2Tx nanosheets with in-situ growth of carbon nanotubes
著者 (17件):
資料名:
巻: 859  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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窒素修飾炭化チタン(NCMX)上に成長した窒素ドープカーボンナノチューブを含む新しいMXene系材料を作製するために,液体混合,乾燥およびアニーリングプロセスのみを含む容易な戦略を設計した。熱処理の間,窒素ドーピングは,MXeneナノシートとカーボンナノチューブで二重に達成され,一方,カーボンナノチューブのin-situ成長が起こった。NCMX電極は,促進比表面積と比静電容量を有するよく設計された構造を示す。より魅力的に,得られたNCMX-4材料は3M H_2SO_4電解質中で2mV s-1の走査速度で299.52F g-1の驚異的な改良された電気化学キャパシタンスを示し,これは純粋な未ドープのもの(74.98F g-1)よりも著しく優れている。それは,10000サイクル後に84.2%の優れた静電容量保持能力を提供した。本結果は,新しいNCMX材料を作製する戦略が,スーパーキャパシタの擬似容量を改善するために,大きな工業規模に容易に適用できることを強調した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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静電機器 

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