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J-GLOBAL ID：202102288906351671   整理番号：21A0566261

X点ベースMRAMのスケーラビリティ解析とモデリング【JST・京大機械翻訳】

Scalability Analysis and Modeling of XPoint-based MRAM

著者 (5件)： Chang Liang (University of Electronic and Science of China,Department of Information and Communication Engineering) ,  Yang Siqi (University of Electronic and Science of China,Department of Information and Communication Engineering) ,  Liu Jiahao (University of Electronic and Science of China,Department of Information and Communication Engineering) ,  Xiao Jianbiao (University of Electronic and Science of China,Department of Information and Communication Engineering) ,  Zhou Jun (University of Electronic and Science of China,Department of Information and Communication Engineering)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ISOCC  ページ： 205-206  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オンチップとオフチップメモリ間のデータ移動の低減は,インターネットオブスティングのようなローカルデバイスでの低消費電力を達成するために重要である。潜在的解決策は,単一チップにより多くのメモリを開発することであった。しかし,従来の静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)は,6トランジスタメモリセルに対して大きな面積オーバーヘッドを持つ高い電力消費を誘導する。1トランジスタ1抵抗(1T1R)不揮発性メモリの出現は,ほぼゼロの漏れ電力,高密度,非揮発性を有するSRAMを克服する。さらに,メモリセルに含まれるトランジスタのないクロスポイント(Xpoint)メモリは,超高密度メモリを設計するための有望な解決策になる。本研究では,スピン-軌道トルク磁気トンネル接合(SOT-MTJ)を用いたXpointベースの磁気RAM(MRAM)を示した。SOT-MTJに対するバランス書き込み方式と,スネーク電流を緩和する奇偶アレイ構造を提供した。さらに,スケーラビリティと安定性に対する影響因子を解析した。提案したXpointベースのMRAMの性能を評価するためにシミュレーションモデルを開発した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電流 ,  トランジスタ ,  シミュレーションモデル ,  電力消費 ,  記憶素子 ,  不揮発性メモリ ,  SRAM ,  RAM【メモリ】 ,  インターネット
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合 ,  オンチップ ,  オーバヘッド ,  低電力化 ,  漏れ電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： MRAM ,  スケーラビリティ ,  解析 ,  モデリング