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J-GLOBAL ID：202102289200008298   整理番号：21A0080202

{100}面Cr置換CeO_2ナノ結晶における高濃度Ce3+の原子起源【JST・京大機械翻訳】

Atomistic origin of high-concentration Ce³⁺ in {100}-faceted Cr-substituted CeO₂ nanocrystals

著者 (19件)： Hao Xiaodong (Materials Institute of Atomic and Molecular Science, Shaanxi University of Science & Technology, Xi’An 710021, China) ,  Hao Xiaodong (WPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Yoko Akira (WPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Inoue Kazutoshi (WPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Xu Yang (Materials Institute of Atomic and Molecular Science, Shaanxi University of Science & Technology, Xi’An 710021, China) ,  Saito Mitsuhiro (Institute of Engineering Innovation, the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Chen Chunlin (WPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Chen Chunlin (Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Science, Shenyang 110016, China) ,  Seong Gimyeong (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Tomai Takaaki (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Takami Seiichi (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Shluger Alexander L. (WPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Shluger Alexander L. (University College London, Department of Physics & Astronomy, Gower Street, London WC1E 6BT, United Kingdom) ,  Xu Bingshe (Materials Institute of Atomic and Molecular Science, Shaanxi University of Science & Technology, Xi’An 710021, China) ,  Adschiri Tadafumi (WPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Adschiri Tadafumi (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Adschiri Tadafumi (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ikuhara Yuichi (WPI-Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Ikuhara Yuichi (Institute of Engineering Innovation, the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 203  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実用における有望なCeO_2ベースのナノ触媒の可能性を改善することは,Ce原子価状態の分布および酸素空孔(V_Os)の形成に及ぼす活性ドーパントの影響の原子スケール解析を必要とする。本研究では,Crドーパントを,超臨界水により平均サイズ7.8nmの立方晶{100}ファセットCeO_2ナノ結晶(NC)に導入した。Crドーパントは約3mol%の量でCeサイトを置換する。収差補正STEM-EELSに基づいて,セリウム原子価状態の分布に及ぼすCrドーパントの影響を,{100}曝露ファセットに垂直な超微細Cr置換CeO_2NCを横切る層により調査した。元のCeO_2 NCと比較して,Cr置換CeO_2 NC,特に内部原子層において,Ce3+カチオンの増加量が存在することが分かった。理論計算と組み合わせた局所構造の原子スケール解析は,CrドーパントがV_Oの生成エネルギーを減少させ,ナノサイズCeO_2の酸素原子の移動度を増加させることを示した。これらの効果は,原理的に,改善された酸素貯蔵容量をもたらし,ドープしたCeO_2NCにおけるV_Osの形成と分布におけるドーパントの役割の基本的な理解を提供する。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  電子顕微鏡観察 ,  *クロム ,  *セリウム ,  ドーピング ,  カチオン ,  立方晶系 ,  ファセット ,  ドーパント ,  収差補正 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  理論計算 ,  ナノ触媒 ,  原子スケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cr置換CeO_2ナノ結晶 ,  STEM-EELS ,  Ce3+カチオンの分布 ,  {100}露出ファセット ,  酸素貯蔵容量

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cr ,  置換 ,  ナノ結晶 ,  高濃度 ,  Ce3+ ,  原子 ,  起源