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J-GLOBAL ID：202102289283460456   整理番号：21A1063269

II型InAs/GaSb SL光検出器に対する量子効率の寄与【JST・京大機械翻訳】

Quantum efficiency contributions for type-II InAs/GaSb SL photodetectors

著者 (4件)： Hostut M. (Department of Math. & Sci. Education, Akdeniz University, Antalya, Turkey) ,  Hostut M. (METU-MEMS Center, Ankara, Turkey) ,  Ergun Y. (Department of Physics, Eskisehir Technical University, Eskisehir, Turkey) ,  Ergun Y. (METU-MEMS Center, Ankara, Turkey)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 130  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同一の周期長さと異なるi-およびp-層厚さを有する3タイプII InAs/GaSb超格子(T_2SL)光検出器の量子効率(QE)成分を解析した。T2SL中波検出器は,79Kで4.88μmに等しい50%カットオフ波長のスペクトル応答を示した。経験的擬ポテンシャル法(EPM)を用いて,バンドギャップエネルギーと重い正孔光正孔(HH-LH)分裂エネルギーのようなバンド構造を定義した。ピーク応答性は,ゼロバイアスの下で4μmで1.14,1.20,および1.26A/Wとして測定され,対応するQEは35%,37%,および39%であった。ピン検出器のQEをHovelモデルに従って光電流解析によりシミュレートし,QE成分の寄与を決定した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超格子 ,  擬ポテンシャル法 ,  光電流 ,  正孔 ,  バンド構造 ,  *光検出器 ,  応答特性 ,  波長 ,  *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  *量子効率 ,  スペクトル応答 ,  バンドギャップエネルギー ,  重い正孔

著者キーワード (5件)： InAs/GaSb ,  II型超格子 ,  量子効率 ,  光検出器 ,  MWIR

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  GaSb ,  SL ,  光検出器 ,  量子効率