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J-GLOBAL ID：202102289465033662   整理番号：21A0984178

インバータケーブルの電磁放射のシミュレーション解析【JST・京大機械翻訳】

Simulation Analysis of Electromagnetic Radiation of Inverter Cable

著者 (4件)： Li Jiawei (Hunan University,Dept. of Electrical and Info. Eng.,Changsha,Hunan,China) ,  Xiao Pei (Hunan University,Dept. of Electrical and Info. Eng.,Changsha,Hunan,China) ,  Feng Yang (Hunan University,Dept. of Electrical and Info. Eng.,Changsha,Hunan,China) ,  Li Gaosheng (Hunan University,Dept. of Electrical and Info. Eng.,Changsha,Hunan,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CSRSWTC  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC IGBTやMOSFETのような広いバンドギャップパワー電子デバイスの高いDV/dtとdi/dtのため,それらの高周波干渉は常に注目の焦点であるが,いくつかのデバイスに電源を切り替えることによって起こるEMIに,より多くの注意が払われている。本論文では,SiC MOSFETから成るインバータの出力後のケーブルにおけるAC電力周辺の電界強度変化を解析するために,SiCドライブボードの実際の電磁放射実験場面に従って,物理モデルを,フィールド回路ジョイントシミュレーションのためのCSTケーブルスタジオにおいて構築し,そして,種々の距離における電界強度変化を解析した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 干渉 ,  *シミュレーション ,  *ケーブル ,  MOSFET ,  炭化ケイ素 ,  HF【周波数】 ,  *電磁波放射 ,  IGBT ,  電界強度
準シソーラス用語： 電子素子 ,  物理モデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： インバータ ,  ケーブル ,  電磁放射 ,  シミュレーション解析