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J-GLOBAL ID：202102289891828784   整理番号：21A1958304

FinFETベース低スイング回転進行波発振器【JST・京大機械翻訳】

FinFET-Based Low Swing Rotary Traveling Wave Oscillators

著者 (2件)： Kuttappa Ragh (ECE Department, Drexel University, Philadelphia, PA, USA) ,  Taskin Baris (ECE Department, Drexel University, Philadelphia, PA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ISCAS  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 回転進行波発振器(RTWO)によるFinFETベースの低スイングクロックをこの論文で提示する。RTWOsによる低スイングクロック信号発生は,平面CMOSトランジスタよりも高周波動作と電圧スケーリングを収容するFinFETのおかげで,非常に有効であることを示した。低スイングクロックはクロックネットワークの電力消費を低くし,一方,非クロックコンポーネント(論理やメモリのような)の全電圧動作を維持する。本研究では,堅牢な低スイング(LS)RTWOをFinFETベース技術で設計した。この目的のために,SPICEシミュレーションを,16nmFinFET技術ノードで2.25GHzと3GHzで動作するISPD’10クロックベンチマーク回路で行った。LS-RTWOベース設計を,同じターゲット周波数で動作する全てのディジタル位相同期ループ(ADPLL)ベース設計と比較した。3GHzにおいて,LS-RTWOは,対応するADPLLベースの設計と比較して,42.7dBのより良い位相雑音@10MHzで36%低い電力を消費する。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  *発振器 ,  電力 ,  クロック ,  電力消費 ,  HF【周波数】 ,  *進行波 ,  位相雑音 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： *FinFET ,  電圧スケーリング ,  ベンチマーク回路 ,  ADPLL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： FinFET ,  スイング ,  進行波 ,  発振器