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J-GLOBAL ID：202102290668318469   整理番号：21A3384067

座屈III-V単分子層の電子特性に対するスピン-軌道結合の効果【JST・京大機械翻訳】

Effects of spin-orbit coupling on the electronic properties of the buckled III-V monolayers

著者 (3件)： Hasani Nona (Department of Electrical Engineering, Hamedan University of Technology, Hamedan, Iran) ,  Rajabi-Maram Ashkan (Department of Electrical Engineering, Hamedan University of Technology, Hamedan, Iran) ,  Touski Shoeib Babaee (Department of Electrical Engineering, Hamedan University of Technology, Hamedan, Iran)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 543  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,座屈III-V単分子層の電子特性をスピン-軌道結合の有無と比較し,電気的性質に及ぼすスピン-軌道結合(SOC)の影響を調べた。両状態に対する有効質量,変形ポテンシャルおよび移動度を調べ,SOC補正が重い化合物に対して大きいスピン補正量を得た。さらに,SOCは価電子帯のバンド分裂と伝導と価電子帯の両方のスピン分裂を引き起こす。原子数の異なるパワーによるバンドとスピン分裂の相関を調べた。バンド分裂はグループV元素の原子数と高い相関を持つが,2つの要素の原子番号の合計によるスピン分裂は高い相関を示すことを見出した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  電気的性質 ,  *単分子層 ,  価電子バンド ,  有効質量 ,  原子番号 ,  変形ポテンシャル
準シソーラス用語： スピン分裂 ,  原子数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： III-V単層 ,  有効質量 ,  変形ポテンシャル ,  モビリティ ,  スピン-軌道結合 ,  スピン分裂 ,  バンド分裂 ,  Pearson相関係数

分類 (3件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 座屈 ,  単分子層 ,  電子 ,  スピン-軌道結合