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J-GLOBAL ID：202102290952081873   整理番号：21A0696892

液体原料を用いた熱CVDによる窒化タングステン膜の成膜

Deposition of tungsten nitride films by thermal CVD using liquid source material

著者 (4件)： 小林貴之 (サムコ 基盤技研) ,  中村昌幸 (サムコ 基盤技研) ,  立田利明 (サムコ 基盤技研) ,  本山愼一 (サムコ 基盤技研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10a-Z03-3  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】窒化タングステン(W2N)は高耐熱、低抵抗、化学的不活性の特徴を有し、GaAs-MESFETのゲート電極やCu配線の拡散バリア膜として使用されており、パワーデバイスの電極としても期待されている[1]。従来、W2Nの成膜は反応性スパッ...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  ケイ素 ,  *タングステン ,  アルミナ ,  *窒化 ,  ヒ化ガリウム ,  アンモニア ,  炭化ケイ素 ,  造粒 ,  還元剤 ,  反応性スパッタリング ,  超薄膜
準シソーラス用語： *薄膜形成 ,  銅配線 ,  *窒化タングステン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 液体原料 ,  熱CVD ,  窒化タングステン ,  成膜