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J-GLOBAL ID：202102291158444706   整理番号：21A1721388

三元カドミウムカルコゲナイドCdIn_2S_4およびCd_7.23Zn_2.77S_10-ZnS薄膜の製造,特性評価および光触媒性能【JST・京大機械翻訳】

Fabrication, characterization, and photocatalytic performance of ternary cadmium chalcogenides CdIn₂S₄ and Cd_7.23Zn_2.77S₁₀-ZnS thin films

著者 (6件)： Daraz Umar (Institute of Chemical Sciences, Bahauddin Zakariya University, Multan60800, Pakistan) ,  Ansari Tariq Mahmood (Institute of Chemical Sciences, Bahauddin Zakariya University, Multan60800, Pakistan) ,  Arain Shafique Ahmad (Institute of Chemistry, Shah Abdul Latif University Khairpur, Sindh, Pakistan) ,  Mansoor Muhammad Adil (Department of Chemistry, School of Natural Sciences (SNS), National University of Sciences and Technology, H-12, Islamabad, Pakistan) ,  Mazhar Muhammad (Department of Chemistry, School of Natural Sciences (SNS), National University of Sciences and Technology, H-12, Islamabad, Pakistan) ,  Hussain Fayyaz (Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan60800, Pakistan)
資料名： Main Group Metal Chemistry  (Main Group Metal Chemistry)
巻： 44  号： 1  ページ： 39-50  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3813A  ISSN： 0792-1241  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジチオカルバメート錯体[Cd(S_2CNCy_2)_2(py)](1),[In(S_2CNCy_2)_3]・2py(2)および[Zn(S_2CNCy_2)_2(py)](3)を合成し,(1)および(2)のトルエン溶液をCdIn_2S_4(CIS)の合成のための二重源前駆体として用い,一方(1)および(3)のそれを,一段階エアロゾル支援化学蒸着(AACVD)技術を用いてCd_7.23Zn_2.77S_10-ZnS複合材料(CZS-ZS)薄膜写真の堆積に適用した。アルゴンガスの不活性雰囲気下で500°Cで堆積実験を行った。X線回折(XRD),エネルギー分散X線分光(EDX),X線光電子分光法(XPS),およびRaman分光法を用いて,堆積膜の構造特性を評価した。電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)曝露表面形態は,CISがCZS-ZSと比較して低いバンドギャップ光アノードであることを明らかにした。線形スイープボルタンメトリー(LSV)に関して同一条件で測定した光電気化学(PEC)応答の比較は,CISとCZS-ZSに対してそれぞれ100mW/cm2の太陽光強度の下で0.7Vの印加電位で4.4mA/cm2と2.9mA/cm2の光電流密度を示した。さらに,電気化学インピーダンス分光法(EIS)は,CISのPEC特性が,0.06MΩのR_ct値を有するCZS-ZSと比較して,CZS-ZS光アノードよりも,低い電荷移動抵抗(R_ct)0.03MΩを提供することを確認した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  エアロゾル ,  電位 ,  *薄膜 ,  X線回折分析 ,  *硫化亜鉛 ,  電流密度 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  X線光電子分光法 ,  X線分光法 ,  バンドギャップ ,  アルキルベンゼン
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  表面形態 ,  電荷移動抵抗 ,  光アノード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CdIn_2S_4 ,  Cd_7.23Zn_2.77S_10-ZnS複合材料 ,  光アノード ,  太陽光発電 ,  PEC ,  Rct

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： トルエン

タイトルに関連する用語 (5件)： カドミウム ,  カルコゲナイド ,  薄膜 ,  特性評価 ,  触媒性能