サファイア基板上のZnO熱拡散により作製されたZnAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub>薄膜の原子分布

KIJIMA Kazuto; ITO Taro; KOMINAMI Hiroko; NAKANISHI Yoichiro; HARA Kazuhiko

文献

J-GLOBAL ID：202102291191525511 整理番号：21A0834894

サファイア基板上のZnO熱拡散により作製されたZnAl₂O₄薄膜の原子分布

Atomic Distribution of ZnAl₂O₄ Thin Film Prepared by Thermal Diffusion of ZnO on Sapphire Substrate

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資料名：
巻： 24th ページ： ROMBUNNO.PHp1-8L 発行年： 2017年12月05日
JST資料番号： L4269B ISSN： 1883-2504 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・消毒用の光源として,水銀灯やキセノンランプに代わる,電子ビーム励起による250nm付近にピークを示すZnAl₂O₄の検討について概観。
・c-サファイア基板上のZnO堆積と熱拡散過程により調製された紫外線発光蛍光体のためのZnAl₂O₄薄膜を作製。
・FE-SEMとCL測定による薄膜の評価について説明。
・CL強度では,100時間アニール膜では飽和なし,200時間アニール膜では陽極電圧8kVでUV発光の飽和あり,断面観察での膜厚,原子分布の正しさを確認。

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酸化物薄膜 , 一般及び無機化合物の蛍光・りん光(分子)

引用文献 (4件)：

H.Kominami, et.al., Proc. of IVNC2009, pp.67-68 (2009).
T.Ishinaga, et.al., Phys. Status Solidi C, 12/6, pp.797-800 (2015).
T.Ito, et.al., IDW’15, PHp1-11L (2015).
T.Ito,et.al., IDW’16, PH2-8L (2016).

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サファイア基板上のZnO熱拡散により作製されたZnAl2O4薄膜の原子分布

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