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J-GLOBAL ID：202102291197910192   整理番号：21A0451886

ミスト化学蒸着によるm面サファイア基板上の酸化スズ単結晶の改良

Improvement of tin oxide single crystal on an m-plane sapphire substrate by mist chemical vapor deposition

著者 (9件)： WIN Thant Zin (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  INABA Katsuhiko (Rigaku Corp., Akishima, JPN) ,  KOBAYASHI Shintaro (Rigaku Corp., Akishima, JPN) ,  FURUKAWA Takumi (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  KANETAKE Yuki (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  MIWA Shiro (Ametek Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIWA Shiro (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  HASHISHIN Takeshi (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  NAKAMURA Yusui (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： 9  ページ： 095503(11pp)  発行年： 2020年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・結晶性の良好なワイドバンドギャップ酸化物半導体SnO₂薄膜をm面サファイア基板上にミスト化学蒸着を用いて成膜。
・SnO₂薄膜を以下の3方法で成膜し,結晶性を比較;SnCl₄溶液のみ使用,酢酸スズ溶液のみ使用,サファイア基板上のSnO₂第一層成膜には酢酸スズ,第二層成膜にはSnCl₂を用いた二層構造の成膜。
・結晶性はX線回折ωロッキングカーブの線幅(FWHM)に基づいて評価し,それ以外にHRTEM,EBSDを用いた評価を実施。
・紫外可視近赤外分光計を用いた光透過スペクトルを測定。
・酢酸スズとSnCl₄を用いて成膜した薄膜のFWHMは0.1°以下と既報の結果よりも狭い事が判明し,SnO₂薄膜の結晶性の改良に成功と結論。
・第一層成膜に酢酸スズ溶液を用いた事で基板上のSnO₂薄膜の結晶性が向上し,第二層成膜にSnCl₄溶液を用いた事で結晶粒径が増加して電気的,光学的特性が向上。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *酸化スズ ,  化合物半導体 ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  半導体薄膜 ,  塩化スズ ,  ロッキングカーブ ,  X線回折 ,  *結晶度 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  基板 ,  単結晶 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子回折 ,  スペクトル
準シソーラス用語： EBSD ,  HRTEM ,  XRD ,  サファイア基板 ,  *ミストCVD法 ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  結晶性 ,  光透過スペクトル ,  *酸化物薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： ミスト ,  化学蒸着 ,  サファイア基板 ,  酸化スズ ,  単結晶