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J-GLOBAL ID：202102291402588820   整理番号：21A2820566

配置と多重過渡故障を考慮した組合せ論理におけるSETパルス特性評価とSER推定【JST・京大機械翻訳】

SET Pulse Characterization and SER Estimation in Combinational Logic with Placement and Multiple Transient Faults Considerations

著者 (7件)： Paliaroutis Georgios Ioannis (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Thessaly, 38221 Volos, Greece) ,  Tsoumanis Pelopidas (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Thessaly, 38221 Volos, Greece) ,  Evmorfopoulos Nestor (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Thessaly, 38221 Volos, Greece) ,  Dimitriou George (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Thessaly, 38221 Volos, Greece) ,  Dimitriou George (Department of Computer Science, University of Thessaly, 35131 Lamia, Greece) ,  Stamoulis Georgios I. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Thessaly, 38221 Volos, Greece) ,  Stamoulis Georgios I. (Department of Computer Science, University of Thessaly, 35131 Lamia, Greece)
資料名： Technologies (Web)  (Technologies (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 5  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7284A  ISSN： 2227-7080  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放射線誘起故障に対する集積回路感受性は,主要な信頼性の懸念である。デバイス特徴サイズの連続的ダウンスケーリングとCMOS技術における電源電圧の減少は,問題を悪化させる傾向がある。したがって,多重過渡故障の存在におけるソフトエラー率(SER)の評価は,それが未解決の研究分野のままであるので,必要である。本研究では,マスキング機構と配置情報を考慮して,モンテカルロシミュレーションに基づく方法論を提示した。提案したSER推定ツールは,放射線に対する回路脆弱性の正確な評価を得るために,HSPICEによる単一事象過渡(SET)パルス特性評価プロセスの結果を利用する。SETに対するマスキング効果の影響を表すGlitch Latching確率と呼ばれる新しいメトリックを導入し,ゲート感度を同定し,最後に,ISCAS89ベンチマークのセットに関する実験結果を示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 集積回路 ,  *故障 ,  信頼性 ,  放射線 ,  電圧変動 ,  *多重化 ,  *パルス特性 ,  *組合せ論 ,  ベンチマーク
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  電源電圧 ,  ソフトエラー率 ,  *過渡故障 ,  CMOS技術 ,  ホップ数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (9件)： キャラクタリゼーション ,  マスキング効果 ,  ファンアウトの変動 ,  温度変化 ,  電圧変動 ,  多重過渡故障 ,  高感度ゲート ,  ソフトエラー率 ,  感受性

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (36件)：

• Campos, A.; Espinosa, G.; Torres Jacome, A.; Tlelo-Cuautle, E. On the Prediction of the Threshold Voltage Degradation in CMOS Technology Due to Bias-Temperature Instability. Electronics 2019, 7, 427.
• May, T.C.; Woods, M.H. Alpha-particle-induced soft errors in dynamic memories. IEEE Trans. Electron Devices 1979, 26, 2-9.
• Ziegler, J.F. Terrestrial cosmic rays. IBM J. Res. Dev. 1996, 40, 19-39.
• Hazucha, P.; Svensson, C. Impact of CMOS technology scaling on the atmospheric neutron soft error rate. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2000, 47, 2586-2594.
• Seifert, N.; Slankard, P.; Kirsch, M.; Narasimham, B.; Zia, V.; Brookreson, C.; Vo, A.; Mitra, S.; Gill, B.; Maiz, J. Radiation-induced soft error rates of advanced CMOS bulk devices. In Proceedings of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), San Jose, CA, USA, 26-30 March 2006; pp. 217-225.

タイトルに関連する用語 (9件)： 多重 ,  過渡故障 ,  組合せ ,  論理 ,  SET ,  パルス特性 ,  評価 ,  SER ,  推定