文献

J-GLOBAL ID：202102291441094094   整理番号：21A0438057

常伝導状態における電子ドープ[数式:原文を参照]の面内角度磁気抵抗の高磁場発展【JST・京大機械翻訳】

High magnetic-field evolution of the in-plane angular magnetoresistance of electron-doped [Formula : see text] in the normal state

著者 (6件)： Jovanovic V. P. (University of Belgrade, Institute for Multidisciplinary Research, Kneza Viseslava 1, 11030 Belgrade, Serbia) ,  Raffy H. (Laboratoire de Physique des Solides, CNRS UMR 8502, Batiment 510, Universite Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91405 Orsay, France) ,  Li Z. Z. (Laboratoire de Physique des Solides, CNRS UMR 8502, Batiment 510, Universite Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, 91405 Orsay, France) ,  Remenyi G. (Universite Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Neel, 38000 Grenoble, France) ,  Monceau P. (Universite Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Neel, 38000 Grenoble, France) ,  Monceau P. (Universite Grenoble Alpes, INSA Toulouse, Universite Toulouse Paul Sabatier, CNRS LNCMI, 38000 Grenoble, France)
資料名： Physical Review. B  (Physical Review. B)
巻： 103  号： 1  ページ： 014520  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,銅酸化物の中で最も単純な結晶構造を持つアンダードープ超伝導[数式:原文を参照]の正常状態における面内角磁気抵抗(AMR)を研究した。強い磁場H(22Tまで)において,異なるドーピングによる2つのアンダードープ薄膜の測定を行った。温度Tでの縦磁気抵抗は負であり,[数式:原文を参照]とスケールする。両試料に対して,AMRは異方性であり,H強度に予想外の依存性を示した。一方,低磁場では,1つは,よりドープした試料に対して,本質的に2倍のAMR振動を観測し,4倍は,高磁場下で成長し始め,2つの共存をもたらした。低磁場での低ドープ膜では,2倍と4倍のAMR成分が存在した。磁場の増加と共に,4倍成分はπ/4位相シフトを生き残り,その振幅は[数式:原文を参照]のような磁場[数式:原文を参照]で消失した。その結果,[数式:原文を参照]以上の高磁場では,面内磁気抵抗の角度依存性は両サンプルで同じであることが分かった。アンダードープ[数式:原文を参照]の[数式:原文を参照]面における反強磁性の存在に対する上記の特徴を暫定的に説明した。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相シフト ,  異方性 ,  結晶構造 ,  *磁場 ,  *磁気抵抗 ,  超伝導 ,  薄膜 ,  反強磁性 ,  酸化銅 ,  温度依存性 ,  *ドーピング ,  *強磁場 ,  角度依存性 ,  *常伝導 ,  弱磁場

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  ドープ ,  数式 ,  参照 ,  磁気抵抗 ,  高磁場 ,  発展