マルチレベルデータストレージデバイス用のソリューション処理された不揮発性光トランジスタメモリ

SHIONO Fumiya; NAGASE Takashi; KOBAYASHI Takashi; NAITO Hiroyoshi

文献

J-GLOBAL ID：202102291971002297 整理番号：21A0834680

マルチレベルデータストレージデバイス用のソリューション処理された不揮発性光トランジスタメモリ

Solution-Processed Nonvolatile Optical Transistor Memory for Mult-Level Data Storage Devices

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資料名：
巻： 24th ページ： ROMBUNNO.FLXp1-10L 発行年： 2017年12月05日
JST資料番号： L4269B ISSN： 1883-2504 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・溶液法により不揮発性分子フローティングゲートトランジスタメモリを作製し,光照射下でのメモリ特性を評価。
・溶液処理されたフローティングゲートトランジスタは,優れたメモリ動作を示し,入射光によるしきい値電圧シフトの調整が可能。
・結果は,優れたソリューション処理性を備えたマルチレベルストレージメモリおよびイメージセンサーへのアプリケーションの可能性を示唆。

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半導体集積回路

引用文献 (6件)：

W. L. Leong, N. Mathews, B. Tan, S. Vaidyanathan, F. Dötzb, and S. Mhaisalkar, “Towards printable organic thin film transistor based flash memory devices”, J. Mater. Chem. 21, 5203 (2011).
Y. Guo, C. Di, S. Ye, X. Sun, J. Zheng, Y. Wen, W. Wu, G. Yu, and Y. Liu, “Multibit storage of organic thin-film field-effect transistors”, Adv. Mater. 21,1954-1959 (2009).
L. Zhang, T. Wu, Y. Guo, Y. Zhao, X. Sun, Y. Wen, G. Yu, and Y. Liu, “Large-area, flexible imaging arrays constructed by light-charge organic memories”, Sci. Rep. 3, 1080 (2013).
W. Wang, K. L. Kim, S. M. Cho, J. H. Lee, and C. Park, “Nonvolatile transistor memory with self-assembled semiconducting polymer nanodomain floating gates”, ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 33863-33873 (2016).
F. Shiono, T. Nagase, T. Kobayashi, and H. Naito, “Organic floating-gate transistor memory based on solution-processed organic films”, Proc. Inter. Display Workshops 23, 1440-1441 (2016).

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