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J-GLOBAL ID：202102292047201525   整理番号：21A0555125

ジグザクエッジを有する非常に幅の狭いグラフェンナノリボンの電気伝導度

Electrical conductance of very narrow graphene nanoribbon with zigzag edge

著者 (7件)： Liu Chunmeng (北陸先端科学技術大学院大学) ,  Zhang Xiaobin (芝浦工業大学) ,  Zhang Jiaqi (北陸先端科学技術大学院大学) ,  Manoharan Muruganathan (北陸先端科学技術大学院大学) ,  水田博 (北陸先端科学技術大学院大学) ,  水田博 (日立ケンブリッジ研究所) ,  大島羲文 (北陸先端科学技術大学院大学)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2020  ページ： 278(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは非常に高い電子移動度と機械的強度を持ち,電子デバイスとセンサに適用されることが期待される。電子素子で使用されるグラフェンナノリボン(GNRs)は,エッジ構造に依存する電子状態を有することが理論的に期待されている。したがって,GNRの電気伝導を測定することができるデバイスを開発し,一方,透過型電子顕微鏡を用いてエッジ構造を観察した。100から800nmの幅で懸濁GNRsを設計し製作した。次に,このリボンを,電流アニーリングによって洗浄し,ナノ彫刻工程によって彫刻した。最後に,ジグザグとアームチェアの混合エッジを有する狭いGNRと,純粋なジグザグエッジを有するGNRsを得た。それらのI-V曲線もそれに応じて測定した。ジグザグGNRでは,微分コンダクタンスの値は閾値電圧で急激に増加し,GNRの長さと共に増加した。この結果は磁気-絶縁体と非磁性-金属非平衡相転移の理論的予測によって説明できた。この知見は最小のスイッチングデバイスを作製する可能性を提供する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 構造 ,  *ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  *電気伝導率 ,  *端部 ,  金属-絶縁体転移 ,  磁気秩序 ,  コンダクタンス ,  *グラフェンナノリボン
準シソーラス用語： ジグザグ構造 ,  微分コンダクタンス

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェンナノリボン ,  電気伝導度