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J-GLOBAL ID：202102295075249992   整理番号：21A2529355

3D TCADシミュレーションによるFD-SOI Hallセンサの性能最適化【JST・京大機械翻訳】

Performance Optimization of FD-SOI Hall Sensors Via 3D TCAD Simulations

著者 (7件)： Fan Linjie (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Fan Linjie (School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Bi Jinshun (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Bi Jinshun (School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Xi Kai (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Majumdar Sandip (Department of Physics, Serampore Girls’ College, Hooghly 712201, India) ,  Li Bo (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China)
資料名： Sensors (Web)  (Sensors (Web))
巻： 20  号： 10  ページ： 2751  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7015A  ISSN： 1424-8220  CODEN： SENSC9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,それらの物理的パラメータ,すなわちアスペクト比,ドーピング濃度および厚さに重点を置いて,完全空乏シリコンオンインシュレータ(FD-SOI)Hallセンサの挙動を調べた。ガルバノ磁性輸送モデルによるVia3D技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションで,Hall電圧,感度,効率,オフセット電圧,および温度特性の性能を評価する。シミュレーションにおけるセンサの最適構造は,5Vのバイアス電圧で86.5mV/Tの感度と218.9V/WTの効率を有した。さらに,ゲート電圧や基板電圧などのバイアスが性能に及ぼす影響もシミュレートし解析した。最適構造とバイアス設計規則を提案し,設計者が自分自身のHallセンサ要求に適合するように選択できるいくつかの調整可能なトレードオフである。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *シミュレーション ,  電圧 ,  CAD【計算機】 ,  最適設計 ,  ドーピング ,  磁性 ,  *三次元 ,  CMOS
準シソーラス用語： オフセット電圧 ,  バイアス電圧 ,  *TCAD ,  輸送モデル ,  ゲート電圧 ,  *Hallセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Hallセンサ ,  FD-SOI CMOS ,  最適化設計 ,  3Dシミュレーション ,  設計規則

分類 (1件)： 磁電デバイス  (NC03100X)

引用文献 (24件)：

• Xu, H.; Zhang, Z.; Shi, R.; Liu, H.; Wang, Z.; Wang, S.; Peng, L.-M. Batch-fabricated high-performance graphene Hall elements. Sci. Rep. 2013, 3, 1207.
• Ramsden, E. Hall-Effect Sensors-Theory and Applications, 2nd ed.; Elsevier: Amsterdam, The Netherlands, 2006.
• Berus, T.; Oszwaldowski, M.; Grabowski, J. High quality Hall sensors made of heavily doped n-InSb epitaxial films. Sens. Actuators A Phys. 2004, 116, 75-78.
• Popovic, R.S. Hall Effect Devices, 2nd ed.; CRC Press: Abingdon, UK, 2004.
• Vitale, S.A.; Wyatt, P.W.; Hecka, N.; Kedzierski, J.; Keast, C.L. FDSOI process technology for subthreshold-operation ultralow-power electronics. Proc. IEEE 2010, 98, 333-342.

タイトルに関連する用語 (6件)： 3D ,  TCAD ,  シミュレーション ,  SOI ,  Hallセンサ ,  性能最適化