特許

J-GLOBAL ID：202103000049611197

ドーパント導入方法および熱処理方法

発明者： 谷村 英昭 ,  青山 敬幸 ,  布施 和彦 ,  山田 隆泰
出願人/特許権者： 株式会社SCREENホールディングス
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-225101
公開番号（公開出願番号）：特開2018-082118
特許番号：特許第6810578号
出願日： 2016年11月18日
公開日（公表日）： 2018年05月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板にドーパントを導入して活性化させるドーパント導入方法であって、 半導体基板の表面にドーパントを含む二酸化ケイ素の膜を形成する成膜工程と、 水素を含む雰囲気中にて前記半導体基板を第1の温度に1秒以上維持して前記ドーパントを含む二酸化ケイ素の膜から前記半導体基板の表面に前記ドーパントを拡散させる第1加熱工程と、 前記水素を含む雰囲気中にて前記半導体基板に1秒未満の照射時間にてフラッシュ光を照射して前記半導体基板の表面を第2の温度に加熱して前記ドーパントを活性化させる第2加熱工程と、 を備え、 前記第1加熱工程の後、前記半導体基板を前記第1の温度よりも低い第3の温度に冷却した後に前記第2加熱工程を実行し、 前記第2の温度は前記第1の温度よりも低温であることを特徴とするドーパント導入方法。

IPC (2件)：

H01L 21/225 ( 200 6.01) ,  H01L 21/26 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/225 Q ,  H01L 21/26 F ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/26 Q ,  H01L 21/26 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 熱処理方法、および熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-064191   出願人：株式会社SCREENホールディングス
• 特開平3-068133
  
• 特開昭50-117374
  
• 不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-026925   出願人：パナソニック株式会社