特許

J-GLOBAL ID：202103000185126804

基板処理装置、反応管形状測定方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 竹脇 基哉 ,  谷山 智志
出願人/特許権者： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018012173
公開番号（公開出願番号）：WO2019-186653
出願日： 2018年03月26日
公開日（公表日）： 2019年10月03日
要約：

基板に製膜される膜の均一性に対して基板の位置精度が与える影響が大きくなり、基板をボートの中心軸に揃えて反応管に挿入しても、反応管の中心軸におかれているとは言い難い状況が生じている。このため、反応管等の実際の据付寸法に基づいて、ウェーハを適切な位置に載置し、処理の均一性を高める必要がある。このため、複数の基板が載置されるボート21と、反応管4を有し、ボートが反応管に挿入され、ボートに載置された基板への成膜を行う処理炉2と、ボートに基板を搬入する基板移載機125とを有し、基板移載機は、反応管の仮想中心軸を基準に基板をボートに搬入する。

請求項（抜粋）：

複数の基板が載置されるボートと、 反応管を備え、前記ボートが前記反応管に挿入され、前記ボートに載置された基板への成膜を行う処理炉と、 前記ボートに基板を搬入する基板移載機とを有し、 前記基板移載機は、前記反応管の仮想中心軸を基準に基板を前記ボートに搬入する基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/677

FI (6件)：

H01L21/31 E ,  H01L21/324 G ,  H01L21/324 S ,  H01L21/324 T ,  H01L21/324 R ,  H01L21/68 A

Fターム (35件)：

5F045AA06 ,  5F045AD01 ,  5F045AE01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EK06 ,  5F045EK08 ,  5F045EM08 ,  5F045EM10 ,  5F045EN05 ,  5F045EN06 ,  5F045GB02 ,  5F131AA02 ,  5F131BA04 ,  5F131CA06 ,  5F131CA22 ,  5F131CA42 ,  5F131DA22 ,  5F131DA43 ,  5F131FA26 ,  5F131FA32 ,  5F131HA02 ,  5F131KA04 ,  5F131KA16 ,  5F131KA17 ,  5F131KA43 ,  5F131KA60 ,  5F131KB12 ,  5F131KB30 ,  5F131KB55