特許
J-GLOBAL ID：202103000831731126
半導体光集積素子の製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-040912
公開番号（公開出願番号）：特開2019-160840
特許番号：特許第6927091号
出願日： 2018年03月07日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 DFBレーザと、EA変調器と、SOAとが同一基板上にモノリシック集積され、光出射方向に、前記DFBレーザ、前記EA変調器、および前記SOAの順に配置された半導体光集積素子が、光軸方向を揃えて複数二次元配列された半導体ウエハを光出射方向に直交する面で劈開して、複数の前記半導体光集積素子が光出射方向に直交する方向に一次元配列して、隣接する前記半導体光集積素子が同一の劈開端面を光出射面として共有する半導体バーを形成するステップであって、前記各半導体光集積素子には、隣接する半導体光集積素子との境界線を跨いで前記SOAと前記DFBレーザを電気的に接続する接続配線部が含まれる、ステップと、
前記半導体バーの状態において前記各半導体光集積素子を検査するステップと、
前記半導体バーの前記各半導体光集積素子を、隣接する半導体光集積素子との境界線で切断することにより、前記SOAと前記DFBレーザを電気的に分離するステップと、
を含むことを特徴とする半導体光集積素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01S 5/042 ( 200 6.01)
, H01S 5/026 ( 200 6.01)
, H01S 5/12 ( 202 1.01)
, H01S 5/227 ( 200 6.01)
, H01S 5/50 ( 200 6.01)
H01S 5/042 612
, H01S 5/026 616
, H01S 5/026 650
, H01S 5/12
, H01S 5/227
, H01S 5/50 610
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
