特許

J-GLOBAL ID：202103000944079620

炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 西口 太郎 ,  平塚 健二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-238507
公開番号（公開出願番号）：特開2017-071551
特許番号：特許第6798293号
出願日： 2016年12月08日
公開日（公表日）： 2017年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1主面を有する炭化珪素単結晶基板と、 前記第1主面上の炭化珪素層とを備え、 前記炭化珪素層は、前記炭化珪素単結晶基板と接する面と反対側の第2主面を含み、 前記第2主面は、{0001}面がオフ方向に傾斜した面であり、 前記第2主面の最大径は、100mm以上であり、 前記第2主面は、前記第2主面の外縁から3mm以内の外周領域と、前記外周領域に取り囲まれた中央領域とを有し、 前記中央領域には、前記オフ方向に対して垂直な直線に沿って並ぶ第1ハーフループの第1転位列があり、 前記第1ハーフループは、前記第2主面に露出する一対の貫通刃状転位を含み、 前記中央領域における前記第1転位列の面密度は、8本/cm2以下であり、 前記中央領域には、前記オフ方向に対して傾斜する直線に沿って並ぶ第2ハーフループの第2転位列があり、 前記第2ハーフループは、前記第2主面に露出する一対の貫通刃状転位を含み、 前記中央領域おいて、前記第1転位列の面密度は、前記第2転位列の面密度よりも低い、炭化珪素エピタキシャル基板。

IPC (8件)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/161 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/314 ( 200 6.01)

FI (9件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/161 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/314 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-139771   出願人：住友電気工業株式会社