特許

J-GLOBAL ID：202103001020424130

導電性透明アルミニウムドープ酸化亜鉛スパッタ膜

発明者： ロバート アラン ベルマン ,  ジェレミー カーティス クラーク ,  ポール アーサー サシェニク ,  リン バーナード シンプソン ,  リーリー ティエン
出願人/特許権者： コーニング インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 柳田 征史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-219163
公開番号（公開出願番号）：特開2019-056181
特許番号：特許第6979938号
出願日： 2018年11月22日
公開日（公表日）： 2019年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 AZO膜を堆積するための方法であって、 ZnO内にAl2O3が1.0重量%含まれる組成をもつ酸化物ターゲットを提供する工程と、 400°Cより高い温度でパルスDC電圧を印加して前記酸化物ターゲットをスパッタすることにより、AZO膜を堆積する工程、 を有する方法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 14/34 R ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 結晶性ZnO系透明導電薄膜の成膜方法、結晶性ZnO系透明導電薄膜及びフィルム、並びに抵抗膜式タッチパネル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-136082   出願人：株式会社ブリヂストン, 独立行政法人物質・材料研究機構
• 透明導電性薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-313100   出願人：ソニー株式会社
• 透明導電膜付き基板及びその作製方法,それを用いたエッチング方法並びに光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-210442   出願人：三洋電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (6件)

• TEXTURED AZO ON SILICON 0XY-NITRIDE BARRIER FILMS FOR ENHANCED LIGHT TRAPPING IN MICROMORPH TANDEM J
• The effect of front ZnO:Al surface texture and optical transparency on efficient light trapping in s
• Efforts to improve carrier mobility in radio frequency sputtered aluminum doped zinc oxide films
• Resistivity improvement of Al-doped ZnO film by bipolar pulsed dc magnetron sputtering with high Ar
• The properties of aluminum-doped zinc oxide thin films prepared by rf-magnetron sputtering from nano
• Al-doped zinc oxide films deposited by simultaneous rf and dc excitation of a magnetron plasma: Rela