特許

J-GLOBAL ID：202103003226328572

塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者： 安立 由香子 ,  市川 幸司
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-243627
公開番号（公開出願番号）：特開2017-155032
特許番号：特許第6850597号
出願日： 2016年12月15日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 式(I-a)で表されるアニオンとカチオンとからなる塩。 [式(I-a)中、 R2は、炭素数1〜12の炭化水素基を表す。 Xa及びXbは、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。 X1は、フッ素原子を有してもよい2価の炭素数1〜12の飽和炭化水素基を表す。 A1は、*-X2-(A2-X3)a-A3-を表す。 A2及びA3は、それぞれ独立に、炭素数1〜12の2価の炭化水素基を表す。 X2及びX3は、それぞれ独立に、-O-、-CO-O-、-O-CO-又は-O-CO-O-を表す。 aは、0又は1を表す。 QA1及びQA2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。 Lb1は、2価、3価又は4価の炭素数1〜24の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる-CH2-は-O-又は-CO-に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子はフッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。 nnは、1〜3の整数を表す。nnが2以上の時、複数存在するR2、Xa、Xb、X1及びA1はそれぞれ、異なっていてもよいし、同一であってもよい。]

IPC (6件)：

C07D 321/06 ( 200 6.01) ,  C09K 3/00 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/038 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01)

FI (6件)：

C07D 321/06 CSP ,  C09K 3/00 K ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/20 521