特許
J-GLOBAL ID:202103003911515911
マイクロLEDデバイスおよびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
奥田 誠司
, 喜多 修市
, 山下 亮司
, 三宅 章子
, 村瀬 成康
, 北 倫子
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2018042501
公開番号(公開出願番号):WO2020-100299
出願日: 2018年11月16日
公開日(公表日): 2020年05月22日
要約:
本開示のマイクロLEDデバイスは、結晶成長基板(100)と、それぞれが第1導電型の第1半導体層(21)および第2導電型の第2半導体層(22)を有する複数のマイクロLED(220)、ならびにマイクロLEDの間に位置する素子分離領域(240)を含むフロントプレーン(200)とを備える。素子分離領域は、第2半導体層に電気的に接続された少なくともひとつの金属プラグ(250)を有する。このデバイスは、第1半導体層に電気的に接続された第1コンタクト電極(31)および金属プラグに接続された第2コンタクト電極(32)を含む中間層(300)と、中間層上に形成されたバックプレーン(400)とを備える。金属プラグは、各マイクロLEDを囲み、かつ、各マイクロLEDの第1半導体層および第2半導体層から離間した側面(250S)を有している。
請求項(抜粋):
結晶成長基板と、
前記結晶成長基板に支持されたフロントプレーンであって、それぞれが第1導電型の第1半導体層および第2導電型の第2半導体層を有する複数のマイクロLED、ならびに前記複数のマイクロLEDの間に位置する素子分離領域を含み、前記素子分離領域が、前記第2半導体層に電気的に接続された金属プラグを有している、フロントプレーンと、
前記フロントプレーンに支持された中間層であって、それぞれが前記複数のマイクロLEDの前記第1半導体層に電気的に接続された複数の第1コンタクト電極、および前記金属プラグに接続された少なくともひとつの第2コンタクト電極を含む、中間層と、
前記中間層に支持されたバックプレーンであって、前記複数の第1コンタクト電極および前記少なくともひとつの第2コンタクト電極を介して前記複数のマイクロLEDに電気的に接続された電気回路を有し、前記電気回路は複数の薄膜トランジスタを含む、バックプレーンと
を備え、
前記金属プラグは、各マイクロLEDを囲み、かつ、各マイクロLEDの前記第1半導体層および前記第2半導体層から離間した側面を有している、マイクロLEDデバイス。
IPC (5件):
H01L 33/38
, H01L 33/08
, G09F 9/33
, G09F 9/30
, G09F 9/00
FI (9件):
H01L33/38
, H01L33/08
, G09F9/33
, G09F9/30 338
, G09F9/30 310
, G09F9/30 349D
, G09F9/30 349C
, G09F9/30 348A
, G09F9/00 338
Fターム (27件):
5C094AA05
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA23
, 5C094DA15
, 5C094DB01
, 5C094EB01
, 5C094ED11
, 5C094ED15
, 5F241AA35
, 5F241AA42
, 5F241BB07
, 5F241BB18
, 5F241BC03
, 5F241BC47
, 5F241CA04
, 5F241CA05
, 5F241CA40
, 5F241CA93
, 5F241CB15
, 5F241CB23
, 5F241CB33
, 5F241CB36
, 5F241FF06
, 5G435AA17
, 5G435BB04
, 5G435KK05
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