特許
J-GLOBAL ID:202103003911515911

マイクロLEDデバイスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 奥田 誠司 ,  喜多 修市 ,  山下 亮司 ,  三宅 章子 ,  村瀬 成康 ,  北 倫子
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2018042501
公開番号(公開出願番号):WO2020-100299
出願日: 2018年11月16日
公開日(公表日): 2020年05月22日
要約:
本開示のマイクロLEDデバイスは、結晶成長基板(100)と、それぞれが第1導電型の第1半導体層(21)および第2導電型の第2半導体層(22)を有する複数のマイクロLED(220)、ならびにマイクロLEDの間に位置する素子分離領域(240)を含むフロントプレーン(200)とを備える。素子分離領域は、第2半導体層に電気的に接続された少なくともひとつの金属プラグ(250)を有する。このデバイスは、第1半導体層に電気的に接続された第1コンタクト電極(31)および金属プラグに接続された第2コンタクト電極(32)を含む中間層(300)と、中間層上に形成されたバックプレーン(400)とを備える。金属プラグは、各マイクロLEDを囲み、かつ、各マイクロLEDの第1半導体層および第2半導体層から離間した側面(250S)を有している。
請求項(抜粋):
結晶成長基板と、 前記結晶成長基板に支持されたフロントプレーンであって、それぞれが第1導電型の第1半導体層および第2導電型の第2半導体層を有する複数のマイクロLED、ならびに前記複数のマイクロLEDの間に位置する素子分離領域を含み、前記素子分離領域が、前記第2半導体層に電気的に接続された金属プラグを有している、フロントプレーンと、 前記フロントプレーンに支持された中間層であって、それぞれが前記複数のマイクロLEDの前記第1半導体層に電気的に接続された複数の第1コンタクト電極、および前記金属プラグに接続された少なくともひとつの第2コンタクト電極を含む、中間層と、 前記中間層に支持されたバックプレーンであって、前記複数の第1コンタクト電極および前記少なくともひとつの第2コンタクト電極を介して前記複数のマイクロLEDに電気的に接続された電気回路を有し、前記電気回路は複数の薄膜トランジスタを含む、バックプレーンと を備え、 前記金属プラグは、各マイクロLEDを囲み、かつ、各マイクロLEDの前記第1半導体層および前記第2半導体層から離間した側面を有している、マイクロLEDデバイス。
IPC (5件):
H01L 33/38 ,  H01L 33/08 ,  G09F 9/33 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/00
FI (9件):
H01L33/38 ,  H01L33/08 ,  G09F9/33 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 310 ,  G09F9/30 349D ,  G09F9/30 349C ,  G09F9/30 348A ,  G09F9/00 338
Fターム (27件):
5C094AA05 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA23 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094EB01 ,  5C094ED11 ,  5C094ED15 ,  5F241AA35 ,  5F241AA42 ,  5F241BB07 ,  5F241BB18 ,  5F241BC03 ,  5F241BC47 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA93 ,  5F241CB15 ,  5F241CB23 ,  5F241CB33 ,  5F241CB36 ,  5F241FF06 ,  5G435AA17 ,  5G435BB04 ,  5G435KK05

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