特許
J-GLOBAL ID：202103004529028403

メモリシステム、メモリ制御方法、及び、プログラム

発明者：
館 一平

館 一平 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (2件)： 机 昌彦 ,  下坂 直樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-052337
公開番号（公開出願番号）：特開2017-167801
特許番号：特許第6808951号
出願日： 2016年03月16日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 それぞれが揮発性メモリ及び不揮発性メモリを含む2つのデータ記憶手段と、 前記2つのデータ記憶手段のいずれか一つを、第1データ記憶手段と設定し、 全ての前記揮発性メモリに同一のデータを書き込み、 前記2つのデータ記憶手段それぞれに含まれる前記揮発性メモリの前記データを維持できない状態が発生した場合に、前記第1データ記憶手段とは異なる前記データ記憶手段に含まれる前記揮発性メモリのデータを該データ記憶手段に含まれる前記不揮発性メモリに書き込むが、 前記第1データ記憶手段に含まれる前記揮発性メモリのデータを前記第1データ記憶手段に含まれる前記不揮発性メモリに書き込まない メモリ制御手段と を含むメモリシステム。
IPC (4件)：
G06F 12/00 ( 200 6.01) ,  G06F 11/14 ( 200 6.01) ,  G06F 11/16 ( 200 6.01) ,  G06F 11/20 ( 200 6.01)
FI (4件)：
G06F 12/00 550 Z ,  G06F 11/14 648 ,  G06F 11/16 666 ,  G06F 11/20 656
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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