特許

J-GLOBAL ID：202103004620229608

光デバイスおよび光デバイスの製造方法

発明者： 長能 重博 ,  森島 哲
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫 ,  寺澤 正太郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018046822
公開番号（公開出願番号）：WO2019-138821
出願日： 2018年12月19日
公開日（公表日）： 2019年07月18日
要約：

一実施形態に係る光デバイスの製造方法は、Geを含むガラス部材に水素を注入する水素注入工程と、水素が注入されたガラス部材の内部にフェムト秒レーザからのレーザ光を集光させるレーザ照射工程であって、該レーザ光は、ガラス部材に対して光誘起による屈折率変化を起こさせるエネルギー量を有すると共に10kHz以上の繰返し周波数を有するレーザ照射工程と、ガラス部材に対してレーザ光の集光点位置を相対的に移動させる集光点移動工程と、を備え、レーザ照射工程および集光点移動工程を繰り返すことにより、ガラス部材の内部に連続した屈折率変化領域を形成する。

請求項（抜粋）：

Geを含むガラス部材に水素を注入する水素注入工程と、 水素が注入された前記ガラス部材の内部にフェムト秒レーザからのレーザ光を集光させるレーザ照射工程であって、前記レーザ光は、前記ガラス部材に対して光誘起による屈折率変化を起こさせるエネルギー量を有すると共に10kHz以上の繰返し周波数を有するレーザ照射工程と、 前記ガラス部材に対して前記レーザ光の集光点位置を相対的に移動させる集光点移動工程と、を備え、 前記レーザ照射工程および前記集光点移動工程を繰り返すことにより、前記ガラス部材の内部に連続した屈折率変化領域を形成することを特徴とする光デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/12 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/53

FI (4件)：

G02B6/13 ,  G02B6/12 371 ,  B23K26/00 G ,  B23K26/53

Fターム (23件)：

2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147EA33A ,  2H147EA33B ,  2H147EA34A ,  2H147EA34B ,  2H147EA35A ,  2H147EA35B ,  2H147EA36A ,  2H147EA36B ,  2H147FB02 ,  2H147FB03 ,  2H147FD16 ,  2H147FE03 ,  2H147FE04 ,  2H147FF03 ,  4E168AE02 ,  4E168CB07 ,  4E168DA02 ,  4E168DA03 ,  4E168DA27 ,  4E168DA47 ,  4E168JA14