特許

J-GLOBAL ID：202103006910330941

レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置

発明者： 田中 敦之 ,  笹岡 千秋 ,  天野 浩 ,  河口 大祐 ,  和仁 陽太郎 ,  伊ケ崎 泰則
出願人/特許権者： 国立大学法人東海国立大学機構 ,  浜松ホトニクス株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柴山 健一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2019049700
公開番号（公開出願番号）：WO2020-130054
出願日： 2019年12月18日
公開日（公表日）： 2020年06月25日
要約：

レーザ加工方法は、半導体対象物の内部において半導体対象物の表面に対向する仮想面に沿って、半導体対象物を切断するためのレーザ加工方法であって、表面から半導体対象物の内部にレーザ光を入射させることにより、仮想面に沿って複数の第1改質スポットを形成する第1工程と、表面から半導体対象物の内部にレーザ光を入射させることにより、複数の第1改質スポットに重ならないように、仮想面に沿って複数の第2改質スポットを形成する第2工程と、を備える。

請求項（抜粋）：

半導体対象物の内部において前記半導体対象物の表面に対向する仮想面に沿って、前記半導体対象物を切断するためのレーザ加工方法であって、 前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を入射させることにより、前記仮想面に沿って複数の第1改質スポットを形成する第1工程と、 前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を入射させることにより、前記複数の第1改質スポットに重ならないように、前記仮想面に沿って複数の第2改質スポットを形成する第2工程と、を備える、レーザ加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/301 ,  B23K 26/53 ,  B28D 5/04 ,  B28D 5/00

FI (6件)：

H01L21/304 611Z ,  H01L21/78 B ,  H01L21/304 611B ,  B23K26/53 ,  B28D5/04 B ,  B28D5/00 Z

Fターム (48件)：

3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069BB04 ,  3C069CA04 ,  3C069CA05 ,  3C069EA02 ,  4E168AE01 ,  4E168CB07 ,  4E168DA03 ,  4E168DA43 ,  4E168EA11 ,  4E168HA01 ,  4E168JA13 ,  5F057AA01 ,  5F057AA12 ,  5F057BA15 ,  5F057BB06 ,  5F057BB09 ,  5F057BC02 ,  5F057BC05 ,  5F057BC07 ,  5F057CA02 ,  5F057CA11 ,  5F057CA14 ,  5F057CA31 ,  5F057DA01 ,  5F057DA11 ,  5F057DA14 ,  5F057DA19 ,  5F057DA22 ,  5F057DA28 ,  5F057DA31 ,  5F057GA27 ,  5F063AA01 ,  5F063AA35 ,  5F063BA31 ,  5F063BA33 ,  5F063BA34 ,  5F063BA43 ,  5F063BA45 ,  5F063CB06 ,  5F063CB25 ,  5F063CB30 ,  5F063CC49 ,  5F063DD01 ,  5F063DD28 ,  5F063DD31 ,  5F063DD32