特許

J-GLOBAL ID：202103007115508127

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小林 勇介 ,  大西 泰彦 ,  岩谷 将伸
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-155088
公開番号（公開出願番号）：特開2018-022851
特許番号：特許第6855700号
出願日： 2016年08月05日
公開日（公表日）： 2018年02月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電流が流れる活性領域と、前記活性領域の外側に配置され、耐圧構造が形成された終端構造部と、を有する半導体装置であって、 前記終端構造部には、第1導電型の高濃度の半導体基板のおもて面に形成された低濃度の第1導電型の低濃度半導体層と、 前記活性領域内の第2導電型の半導体層、もしくはソース電極と接する第2導電型の半導体層と接しており、かつ、前記半導体層よりも不純物濃度が低く、前記半導体基板表面とは接触しない第2導電型の第2半導体層と、を有し、 前記半導体層の底面と前記第2導電型の第2半導体層の底面の深さが同じであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (9件)：

H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/78 658 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体リレー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-215684   出願人：横河電機株式会社