特許
J-GLOBAL ID：202103007434483447
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-223536
公開番号（公開出願番号）：特開2018-082055
特許番号：特許第6848382号
出願日： 2016年11月16日
公開日（公表日）： 2018年05月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンよりもバンドギャップが広い半導体からなる第1導電型のワイドバンドギャップ半導体基板と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板のおもて面に設けられた、シリコンよりもバンドギャップが広い半導体からなる、前記ワイドバンドギャップ半導体基板より低不純物濃度の第1導電型のワイドバンドギャップ半導体層と、
前記第1導電型のワイドバンドギャップ半導体層の表面側に設けられた該ワイドバンドギャップ半導体層より高不純物濃度の第1導電型の領域と、
前記第1導電型の領域の内部に、選択的に設けられた第2導電型のベース領域と、
前記第1導電型のワイドバンドギャップ半導体層の前記ワイドバンドギャップ半導体基板に対して反対側の表面に設けられた、第2導電型のワイドバンドギャップ半導体層と、
前記第2導電型のワイドバンドギャップ半導体層の内部に選択的に設けられた第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域および前記第2導電型のワイドバンドギャップ半導体層を貫通して前記第2導電型のベース領域に達するトレンチと、
前記トレンチ内部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記第2導電型のワイドバンドギャップ半導体層および前記ソース領域に接触するソース電極と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の裏面に設けられたドレイン電極と、
を備え、
前記トレンチはストライプ状の平面パターンを有し、
前記ベース領域は前記トレンチに接し、当該トレンチと平行な方向に連続して設けられ、前記第1導電型の領域とpn接合を形成する第1ベース領域と、前記第1ベース領域同士を前記トレンチと垂直な方向で接続する接続部と、
前記接続部上に選択的に設けられ、前記第1ベース領域を前記第2導電型のワイドバンドギャップ半導体層に接続する第2ベース領域と、を有し、前記第1ベース領域同士の間隔は前記接続部同士の間隔よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/78 652 S
, H01L 29/78 652 D
, H01L 29/78 658 A
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/50 M
審査官引用 (1件)
-
炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2013-207525
出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
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