特許
J-GLOBAL ID:202103008163968403
半導電性ポリエチレン組成物
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
林 一好
, 芝 哲央
, 岩池 満
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-518627
特許番号:特許第6847103号
出願日: 2016年11月16日
請求項(抜粋):
【請求項1】 a.910kg/m3以下の密度を有するポリエチレンコポリマーである超低密度ポリオレフィン40〜75wt%と、
b.少なくとも20wt%の量のカーボンブラックと
を含む半導電性ポリエチレン組成物であって、
前記超低密度ポリオレフィンは、
i.密度が885〜920kg/m3の範囲内であり、ISO1133にしたがって190°Cにおいて2.16kg荷重によって測定したMFR2が15〜50g/10分の範囲内である第一のポリエチレンコポリマーであるポリオレフィン画分と、
ii.密度が840〜880kg/m3の範囲内であり、ISO1133にしたがって190°Cにおいて2.16kg荷重によって測定したMFR2が0.5〜10g/10分の範囲内である第二のポリエチレンコポリマーであるポリオレフィン画分と
を含み、
前記超低密度ポリオレフィンは、機械的ブレンドまたはインサイチュウブレンドされたものであり、
前記ポリオレフィンの第一画分が前記ポリオレフィンの50〜90wt%、および前記ポリオレフィンの第二の画分が前記ポリオレフィンの10〜50wt%の量でそれぞれ存在する、
半導電性ポリエチレン組成物。
IPC (4件):
C08L 23/04 ( 200 6.01)
, C08K 3/04 ( 200 6.01)
, H01B 1/24 ( 200 6.01)
, H01B 9/02 ( 200 6.01)
FI (4件):
C08L 23/04
, C08K 3/04
, H01B 1/24 E
, H01B 9/02 B
前のページに戻る