特許
J-GLOBAL ID：202103009189572741
半導体積層物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-247639
公開番号（公開出願番号）：特開2019-112266
特許番号：特許第6913626号
出願日： 2017年12月25日
公開日（公表日）： 2019年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 III族窒化物半導体の結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が(0001)面である主面を有する窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板上に設けられ、III族窒化物半導体からなる半導体機能層と、
を有し、
前記窒化物半導体基板では、
<1-100>軸に沿った方向および前記<1-100>軸に直交する<11-20>軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記(0001)面は、前記主面に対して凹の球面状に湾曲し、
前記<1-100>軸に沿った方向および前記<1-100>軸に直交する前記<11-20>軸に沿った方向のうちいずれか一方の方向の前記(0001)面の曲率半径は、他方の方向の少なくとも一部の前記(0001)面の曲率半径と異なり、
前記窒化物半導体基板の前記主面の法線に対する前記結晶の<0001>軸のオフ角のうち<1-100>軸に沿った方向成分をθm、前記オフ角のうち前記<1-100>軸に直交する<11-20>軸に沿った方向成分をθaとしたときに、
前記窒化物半導体基板の前記主面の全面積に対する、前記オフ角(θm,θa)が前記式(2-1)および前記式(2-2)を満たす領域の面積の割合は、50%超であり、
前記半導体機能層の主面の全面積に対する、前記半導体機能層の主面の算術平均粗さRaが30nm以下である領域の面積の割合は、50%超である
半導体積層物。
0.47≦θm≦0.71 ・・・(2-1)
-0.20≦θa≦0.26 ・・・(2-2)
IPC (3件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 25/02 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
C30B 29/38 D
, C30B 25/02 Z
, C23C 16/34
