特許
J-GLOBAL ID：202103009885397091
封止光半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 寛之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-205775
公開番号（公開出願番号）：特開2017-163125
特許番号：特許第6928437号
出願日： 2016年10月20日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、前記支持層に支持される固定層、および、前記キャリアに支持されるマーク層を備える仮固定部材を用意する工程(1)と、
複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程(2)と、
前記工程(2)の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程(3)と、
前記工程(3)の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程(4)と、
前記工程(4)の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程(5)とを備え、
前記マーク層には、切断マークが設けられ、
前記工程(4)では、前記切断マークを基準にして、前記封止層を切断し、
前記マーク層は、前記キャリアにおいて前記支持層が形成される側と反対側に形成されていることを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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