特許
J-GLOBAL ID：202103010811560118

イオンミル損傷を低減させるためのキャッピング層

発明者：
アンソニー・エドワード・メグラント

アンソニー・エドワード・メグラント について


出願人/特許権者：
グーグル エルエルシー

グーグル エルエルシー について


代理人 (3件)： 村山 靖彦 ,  実広 信哉 ,  阿部 達彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-514274
特許番号：特許第6790245号
出願日： 2016年09月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電流が流れることを可能にする電気的接触接合を製作する方法であって、前記方法は、 超伝導体材料の第1の層を含む基板を提供するステップと、 前記第1の層の第1の領域から前記第1の層の前記超伝導体材料の自然酸化物を除去するステップと、 前記第1の層の前記第1の領域と接触した状態でキャッピング層を形成するステップであって、前記キャッピング層は、前記第1の領域における前記超伝導体材料の前記自然酸化物の再形成を防止する、ステップと、 前記キャッピング層を形成した後に、超伝導体材料の第2の層を形成するステップであって、前記第2の層は、前記超伝導体材料の第1の層の前記第1の領域に電気的に接続し、電流が流れることを可能にする前記電気的接触接合を提供する、ステップと を含み、 前記キャッピング層の材料は、所定の厚さを有する金属を含み、前記電気的接触接合が前記第1の層の前記超伝導体材料の臨界温度の下方に冷却されるときに、前記金属が超伝導近接効果に起因して超伝導体材料として振る舞うようになっている、方法。
IPC (1件)：
H01L 39/24 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 39/24 ZAA F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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