特許
J-GLOBAL ID：202103011001507241
レジストパターンのラフネスを低減させるために用いられる被覆剤、及びラフネスが低減されたレジストパターンの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-198452
公開番号（公開出願番号）：特開2018-060101
特許番号：特許第6813326号
出願日： 2016年10月06日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に形成されたレジストパターンを被覆し、前記レジストパターンのラフネスを低減させるために用いられる被覆剤であって、
樹脂(A)と、第4級炭素原子含有化合物(B)と、塩基性化合物(C)と、溶媒(S)とを含み、
前記第4級炭素原子含有化合物(B)が、下式(1):
(式(1)中、R1は炭素原子数1〜8の脂肪族炭化水素基であり、R2は炭素原子数1〜8の脂肪族炭化水素基、又は-R7-O-(A-O)p-R8で表される基であり、R3及びR4は、独立して炭素原子数1〜4のアルキレン基であり、R5は-(A-O)q-R8で表される基であり、R6は-(A-O)r-R8で表される基であり、Aはエチレン基又はプロピレン基であり、R7は炭素原子数1〜4のアルキレン基であり、R8は水素原子又はアルキル基であり、p、q、及びrは独立して正の数であり、p+q+rは4以上である。)
で表される化合物であり、
前記塩基性化合物(C)が、塩基性の4級アンモニウム塩である、被覆剤。
IPC (3件)：
G03F 7/40 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, H05K 3/06 ( 200 6.01)
G03F 7/40 511
, G03F 7/20 521
, H05K 3/06 E
