特許

J-GLOBAL ID：202103011496319012

半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置

発明者： 中井 佑亮
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (4件)： 前田 実 ,  山形 洋一 ,  佐藤 賢改 ,  篠原 昌彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-100122
公開番号（公開出願番号）：特開2019-202504
特許番号：特許第6943222号
出願日： 2018年05月25日
公開日（公表日）： 2019年11月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基材部と、 前記基材部上に備えられ、前記基材部の長手方向に間隔を開けて配列された複数の発光サイリスタと、 を有し、 前記複数の発光サイリスタのうちの前記基材部の前記長手方向の端部に最も近い発光サイリスタである第1の素子は、第1導電型の第1の半導体層と、前記第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体層と、第1導電型の第3の半導体層と、第2導電型の第4の半導体層とが、前記基材部側から前記第4の半導体層、前記第3の半導体層、前記第2の半導体層、及び前記第1の半導体層の順に積層された第1の半導体多層構造を有し、 前記複数の発光サイリスタのうちの前記第1の素子以外の発光サイリスタである第2の素子は、第1導電型の第5の半導体層と、第2導電型の第6の半導体層と、第1導電型の第7の半導体層と、第2導電型の第8の半導体層とが、前記基材部側から前記第8の半導体層、前記第7の半導体層、前記第6の半導体層、及び第5の半導体層の順に積層された第2の半導体多層構造を有し、 前記端部に近い側における前記第1の半導体層の端面を含む第1の面と前記端部に近い側における前記第3の半導体層の端面を含む第2の面との間の第1の距離は、前記端部から遠い側における前記第1の半導体層の端面を含む第3の面と前記端部から遠い側における前記第3の半導体層の端面を含む第4の面との間の第2の距離より小さく、 前記長手方向における一方の側における前記第5の半導体層の端面を含む第5の面と前記一方の側における前記第7の半導体層の端面を含む第6の面との間の第3の距離は、前記一方の側の反対の他方の側における前記第5の半導体層の端面を含む第7の面と前記他方の側における前記第7の半導体層の端面を含む第8の面との間の第4の距離に等しく、 前記第2の距離は、前記第3の距離に等しい ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

B41J 2/447 ( 200 6.01) ,  H01L 33/08 ( 201 0.01) ,  B41J 2/45 ( 200 6.01) ,  H04N 1/036 ( 200 6.01) ,  H01L 27/15 ( 200 6.01) ,  H01L 29/74 ( 200 6.01)

FI (7件)：

B41J 2/447 101 A ,  H01L 33/08 ,  B41J 2/447 101 P ,  B41J 2/45 ,  H04N 1/036 ,  H01L 27/15 Z ,  H01L 29/74 E