特許
J-GLOBAL ID：202103011818350980

成膜装置、およびそれに用いるガス吐出部材

発明者：
岡部 真也

岡部 真也 について

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望月 隆

望月 隆 について

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山▲崎▼ 英亮

山▲崎▼ 英亮 について

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平松 永泰

平松 永泰 について

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傳寶 一樹

傳寶 一樹 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-158706
公開番号（公開出願番号）：特開2018-024927
特許番号：特許第6796431号
出願日： 2016年08月12日
公開日（公表日）： 2018年02月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 被処理基板が収容される処理容器と、 前記処理容器内で被処理基板が載置される載置台と、 前記載置台に載置された被処理基板に対向配置され、原料ガスであるTiCl4ガス、還元ガスであるH2ガス、およびプラズマ生成ガスであるArガスを含む処理ガスを前記載置台上の被処理基板に向けて吐出するガス吐出部材と、 前記ガス吐出部材と前記載置台との間に高周波電界を形成してプラズマを生成し、前記処理ガスを励起させるプラズマ生成手段と、 を有し、前記TiCl4ガスが前記プラズマにより励起されて生成されたTiCl3を含む活性種およびArイオンにより被処理基板上にTiを含む膜を成膜する成膜装置であって、 前記載置台に接続される伝送路に設けられたインピーダンス調整回路をさらに有し、該インピーダンス調整回路により、プラズマから見た前記伝送路のインピーダンスを低下させてプラズマから被処理基板に流れる電流を増加させ、Arイオンを高エネルギー化し、 前記ガス吐出部材は、前記載置台に対向するガス吐出面を有し、前記ガス吐出面には、複数のガス吐出孔が形成され、 前記ガス吐出面における、前記複数のガス吐出孔が形成されたガス吐出孔形成領域と、前記被処理基板に対応する領域とは同心状をなし、前記ガス吐出孔形成領域の直径を、前記被処理基板に対応する領域の直径よりも小さくすることにより、前記ガス吐出孔形成領域を前記ガス吐出面の被処理基板に対応する領域よりも小さくして、前記被処理基板の外周部において前記Tiを含む膜の膜厚が増加し、膜厚分布の均一性が高くなるように、前記被処理基板の前記外周部におけるTiCl4からTiCl3への解離を促進することを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  C23C 16/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)
FI (3件)：
C23C 16/455 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/285 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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