特許
J-GLOBAL ID：202103011958578655
シリコン単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-126461
公開番号（公開出願番号）：特開2018-002490
特許番号：特許第6786905号
出願日： 2016年06月27日
公開日（公表日）： 2018年01月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チャンバと、
このチャンバ内に配置された坩堝と、
前記坩堝を加熱することで、シリコン融液にドーパントが添加されたドーパント添加融液を生成する加熱部と、
種結晶を前記ドーパント添加融液に接触させた後に引き上げる引き上げ部とを備えた単結晶引き上げ装置を利用したチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記シリコン単結晶の肩部を形成する肩部形成工程と、
前記シリコン単結晶の直胴部を形成する直胴部形成工程とを備え、
前記肩部形成工程は、前記肩部の径方向全域に発生する成長縞のうち、その外縁部が肩部の外周部まで伸びずに別の成長縞で中断されている成長縞で構成され、かつ、育成方向の高さが200μm以上のリメルト成長領域が発生しないように、前記肩部形成工程開始時から、前記坩堝を16rpm以上30rpm以下の回転速度を維持しつつ回転させ、前記ドーパント添加融液表面の温度変動の標準偏差を2.51°C以下に抑制することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/22 ( 200 6.01)
C30B 29/06 502 Z
, C30B 15/22
