特許
J-GLOBAL ID:202103012482834093

ホール素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人ドライト国際特許事務所
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2019032898
公開番号(公開出願番号):WO2020-040264
出願日: 2019年08月22日
公開日(公表日): 2020年02月27日
要約:
ホール素子(100)は、基板(1)と、基板(1)上に設けられた感磁層としての薄膜(2)と、を備える。薄膜(2)は、組成がFexSn1-x(0.5≦x<0.9)の非晶質の強磁性金属からなる。ホール素子(100)は、異常ホール効果を示すホール素子であり、薄膜(2)の面内方向に電流Iが流れると、薄膜(2)の自発磁化に起因して、電流Iに直交する方向に起電力(ホール電圧)Vyxが生じて、この起電力から外部磁場を検出する。薄膜(2)は、Fe-Sn合金と添加元素とからなる3元系化合物であってもよい。添加元素としては、スピン軌道相互作用又は磁性を変調させる遷移金属元素、価電子数がSnと異なりキャリア密度を変調させる典型元素、又は状態密度を変調させる典型元素が挙げられる。
請求項(抜粋):
基板と、 前記基板上に設けられた感磁層としての薄膜と、 を備えた異常ホール効果を示すホール素子であって、 前記薄膜の組成がFexSn1-x(0.5≦x<0.9)である、ホール素子。
IPC (4件):
H01L 43/06 ,  H01L 43/10 ,  H01F 10/14 ,  G01R 33/07
FI (4件):
H01L43/06 M ,  H01L43/06 Z ,  H01F10/14 ,  G01R33/07
Fターム (20件):
2G017AA01 ,  2G017AB05 ,  2G017AD53 ,  5E049AA01 ,  5E049AB07 ,  5E049BA16 ,  5F092AA05 ,  5F092AA15 ,  5F092AA20 ,  5F092AB01 ,  5F092AC02 ,  5F092AD04 ,  5F092BA17 ,  5F092BA23 ,  5F092BA32 ,  5F092BE03 ,  5F092BE06 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02

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