特許
J-GLOBAL ID：202103012780888694

半導体装置

発明者：
内藤 達也

内藤 達也 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-175099
公開番号（公開出願番号）：特開2018-041845
特許番号：特許第6805655号
出願日： 2016年09月07日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、 前記半導体基板の内部において前記ドリフト領域の上方に設けられ、前記ドリフト領域よりも不純物濃度の高い第1導電型のエミッタ領域と、 前記半導体基板の内部において前記エミッタ領域と前記ドリフト領域の間に設けられた第2導電型のベース領域と、 前記半導体基板の内部において前記ベース領域と前記ドリフト領域の間に設けられ、前記ドリフト領域よりも不純物濃度の高い第1導電型の蓄積領域と、 前記半導体基板の上面から前記エミッタ領域、前記ベース領域および前記蓄積領域を貫通して設けられ、内部に導電部が設けられた複数のトレンチ部と を備え、 前記蓄積領域の前記半導体基板の深さ方向における長さが1.5μm未満であり、 前記蓄積領域の前記半導体基板の深さ方向における不純物濃度分布は、不純物濃度が略一定の平坦領域を有している半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01)
FI (15件)：
H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 657 D ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/06 301 R ,  H01L 29/78 652 D ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 L ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/088 E ,  H01L 29/06 301 V
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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