特許
J-GLOBAL ID：202103013129809391
半導体装置の製造方法、基板処理システムおよびプログラム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人太陽国際特許事務所
, 特許業務法人アイ・ピー・ウィン
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-027565
公開番号（公開出願番号）：特開2019-145630
特許番号：特許第6806721号
出願日： 2018年02月20日
公開日（公表日）： 2019年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に炭素濃度が10at%以上15at%以下であるシリコン、炭素、および窒素を含む膜を形成する工程と、
前記膜が表面に露出した前記基板に対して酸化処理を行う工程と、
前記酸化処理がなされた後の前記膜が表面に露出した前記基板に対してフッ化水素を用いた処理を行う工程と、
を有し、
前記酸化処理により前記膜の第1の深さ領域における炭素濃度が変化し、前記膜の前記第1の深さ領域よりも深い第2の深さ領域における炭素濃度が変化することなく維持されるようにならしめる半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, H01L 21/314 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
H01L 21/318 B
, H01L 21/31 B
, H01L 21/314 A
, C23C 16/42
