特許
J-GLOBAL ID：202103013428515302
光電変換素子、撮像素子、積層型撮像素子、及び、固体撮像装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山本 孝久
, 吉井 正明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-529582
特許番号：特許第6791140号
出願日： 2016年07月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも、第1電極、有機光電変換層、第2電極が、順次、積層されて成る撮像素子であって、
有機光電変換層は、下記の構造式(1)を有する第1有機半導体材料を含み、更に、第2有機半導体材料及び第3有機半導体材料を含み、
第2有機半導体材料は、フラーレン又はフラーレン誘導体から成り、
第3有機半導体材料の可視光領域の極大光吸収波長における線吸収係数の値μ3は、第1有機半導体材料の可視光領域の極大光吸収波長における線吸収係数の値μ1よりも大きく、且つ、第2有機半導体材料の可視光領域の極大光吸収波長における線吸収係数の値μ2よりも大きい撮像素子。
ここで、
R1,R2は、それぞれ独立に、水素、芳香族炭化水素基、複素環基、ハロゲノ芳香族基、又は、縮合系複素環基から選ばれた基であり、置換基を有してもよく、
芳香族炭化水素基は、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基及びベンゾピレニル基から成る群から選択される芳香族炭化水素基であり、
複素環基は、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピロリル基、インドレニル基、イミダゾリル基、チエニル基、フリル基、ピラニル基及びピリドニル基から成る群から選択される複素環基であり、
ハロゲノ芳香族基は、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基及びベンゾピレニル基から成る群から選択されるハロゲノ芳香族基であり、
縮合系複素環基は、ベンゾキノリル基、アントラキノリル基及びベンゾチエニル基から成る群から選択される縮合系複素環基である。
IPC (3件)：
H01L 51/42 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 27/30 ( 200 6.01)
H01L 31/08 T
, H01L 27/146 E
, H01L 27/30
