特許
J-GLOBAL ID:202103013716534621
レジスト組成物及びレジストパターン製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-155638
公開番号(公開出願番号):特開2017-045047
特許番号:特許第6795928号
出願日: 2016年08月08日
公開日(公表日): 2017年03月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】 式(I)で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂(A1)、
式(II)で表される構造単位を含み、酸不安定基を有する構造単位を含まない樹脂(A2)及び
酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式(I)中、
R1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
A1は、単結合、*-A2-O-、*-A2-CO-O-、*-A2-CO-O-A3-CO-O-又は*-A2-O-CO-A3-O-を表す。
*は-O-との結合手を表す。
A2及びA3は、互いに独立に、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。]
[式(II)中、
Rt1は、水素原子又はメチル基を表す。
At1は、炭素数1〜6のアルカントリイル基を表す。
Xt1及びXt1’は、互いに独立に、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Rt2及びRt2’は、互いに独立に、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基又は、式(t)で表される基を表す。]
IPC (5件):
G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/20 ( 200 6.01)
, C08F 20/22 ( 200 6.01)
, C08F 20/28 ( 200 6.01)
FI (5件):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/20 521
, C08F 20/22
, C08F 20/28
引用特許:
出願人引用 (2件)
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-100960
出願人:住友化学株式会社
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多重パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2015-165662
出願人:ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー, ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー, ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド
審査官引用 (2件)
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レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2013-100960
出願人:住友化学株式会社
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多重パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2015-165662
出願人:ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー, ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー, ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ・コリア・リミテッド
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