特許
J-GLOBAL ID：202103015512066745

出力段バッファ回路

発明者：
中込 謙司

中込 謙司 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人扶桑国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-189447
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056750
特許番号：特許第6798218号
出願日： 2016年09月28日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電源側に配置された第1のPチャネルMOSFETと、 グランド側に配置され、前記第1のPチャネルMOSFETとプッシュプル回路を構成する第1のNチャネルMOSFETと、 ドレインが前記第1のPチャネルMOSFETのドレインに接続された第2のNチャネルMOSFETおよび前記第2のNチャネルMOSFETとカレントミラー回路をなすダイオード構成の第3のNチャネルMOSFETと、 前記第2のNチャネルMOSFETのソースと前記第1のNチャネルMOSFETのドレインおよび出力端子の接続点との間に配置され、ゲートが前記第1のPチャネルMOSFETのゲートに接続された第2のPチャネルMOSFETと、 前記第3のNチャネルMOSFETのソースに電源電圧より低い一定の電圧を供給する定電圧回路と、 前記第3のNチャネルMOSFETに一定の電流を供給するバイアス回路と、 を備えている出力段バッファ回路。
IPC (1件)：
H03K 19/0175 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H03K 19/017 220
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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